1. 웨이퍼 가공 (Wafer Fabrication)
1.wafer (웨이퍼):
The wafer is the fundamental substrate for making integrated circuits.
(웨이퍼는 집적 회로를 만드는 데 필수적인 기판입니다.)
2.silicon (실리콘):
Silicon is the most widely used semiconductor material.
(실리콘은 가장 널리 사용되는 반도체 재료입니다.)
3.photolithography (포토리소그래피):
Photolithography is used to transfer a pattern onto the wafer.
(포토리소그래피는 패턴을 웨이퍼에 전사하는 데 사용됩니다.)
4.deposition (증착):
We used CVD for the oxide deposition.
(산화물 증착을 위해 CVD를 사용했습니다.)
5.etching (식각):
Plasma etching is a critical step in pattern transfer.
(플라즈마 식각은 패턴 전사에서 매우 중요한 단계입니다.)
6.doping (도핑):
Doping is used to change the electrical properties of the silicon.
(도핑은 실리콘의 전기적 특성을 바꾸는 데 사용됩니다.)
7.ion implantation (이온 주입):
Ion implantation introduces impurities into the wafer with high precision.
(이온 주입은 높은 정밀도로 불순물을 웨이퍼에 주입합니다.)
8.transistor (트랜지스터):
A single chip contains billions of transistors.
(단일 칩에는 수십억 개의 트랜지스터가 들어 있습니다.)
9.dielectric (유전체):
Silicon dioxide acts as a dielectric layer to insulate components.
(이산화규소는 부품을 절연하는 유전체 층 역할을 합니다.)
10.substrate (기판):
The thin film was grown on a silicon substrate.
(얇은 막이 실리콘 기판 위에 성장되었습니다.)
11.oxidation (산화):
We performed a thermal oxidation to grow an oxide layer.
(우리는 산화막을 성장시키기 위해 열 산화를 수행했습니다.)
12.metalization (금속화):
Metalization is the process of forming metal interconnects.
(금속화는 금속 배선을 형성하는 공정입니다.)
13.mask (마스크):
The pattern is defined on a photomask.
(패턴은 포토마스크에 정의됩니다.)
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2. 공정 단계 및 작업 (Process Steps & Operations)
14.cleaning (세정):
Wafer cleaning is essential to prevent defects.
(웨이퍼 세정은 결함을 방지하는 데 필수적입니다.)
15.spin-coating (스핀 코팅):
A layer of photoresist is applied by spin-coating.
(감광액 층은 스핀 코팅으로 도포됩니다.)
16.baking (베이킹):
Post-exposure baking hardens the photoresist.
(노광 후 베이킹은 감광액을 경화시킵니다.)
17.exposure (노광):
The wafer is exposed to UV light through the mask.
(웨이퍼는 마스크를 통해 자외선에 노광됩니다.)
18.development (현상):
The exposed photoresist is removed during the development step.
(노광된 감광액은 현상 단계에서 제거됩니다.)
19.stripping (박리):
The remaining photoresist is removed by stripping.
(남아 있는 감광액은 박리로 제거됩니다.)
20.annealing (열처리):
Annealing is used to repair crystal damage after ion implantation.
(열처리는 이온 주입 후 결정 손상을 복구하는 데 사용됩니다.)
21.polishing (연마):
Chemical mechanical polishing planarizes the wafer surface.
(화학 기계적 연마는 웨이퍼 표면을 평탄화합니다.)
22.pumping (펌핑):
The vacuum chamber is evacuated by a powerful pumping system.
(진공 챔버는 강력한 펌핑 시스템으로 진공 상태가 됩니다.)
23.bonding (접합):
Wafer-to-wafer bonding is used for 3D integration.
(웨이퍼-투-웨이퍼 접합은 3D 집적을 위해 사용됩니다.)
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3. 재료 및 화학물질 (Materials & Chemicals)
24.silicon dioxide (이산화규소):
Silicon dioxide is a common insulator in semiconductors.
(이산화규소는 반도체에서 흔히 사용되는 절연체입니다.)
25.photoresist (감광액):
A thin layer of photoresist is spin-coated onto the wafer.
(얇은 감광액 층이 웨이퍼에 스핀 코팅됩니다.)
26.dopant (도펀트):
Arsenic is a common N-type dopant.
(비소는 흔한 N형 도펀트입니다.)
27.gas (가스):
Etching is performed using reactive gases.
(식각은 반응성 가스를 사용하여 수행됩니다.)
28.plasma (플라즈마):
Plasma is used to create highly anisotropic etches.
(플라즈마는 높은 비등방성 식각을 만드는 데 사용됩니다.)
29.etchant (식각액):
The etchant solution selectively removes material.
(식각액 용액은 선택적으로 재료를 제거합니다.)
30.solvent (용매):
Acetone is used as a solvent to remove the photoresist.
(아세톤은 감광액을 제거하는 용매로 사용됩니다.)
31.oxide (산화물):
A thin oxide layer was grown on the silicon.
(얇은 산화물 층이 실리콘 위에 성장되었습니다.)
32.nitride (질화물):
We used a silicon nitride layer as a hard mask.
(우리는 질화규소 층을 하드 마스크로 사용했습니다.)
33.copper (구리):
Copper is used for advanced interconnects.
(구리는 첨단 배선에 사용됩니다.)
34.dielectric (유전체):
The dielectric layer separates the metal lines.
(유전체 층은 금속 라인들을 분리합니다.)
35.polymer (폴리머):
A specific polymer is used in the photoresist.
(특정 폴리머가 감광액에 사용됩니다.)
36.slurry (슬러리):
We used a chemical slurry for polishing.
(우리는 연마를 위해 화학 슬러리를 사용했습니다.)
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4. 장비 및 도구 (Equipment & Tools)
37.chamber (챔버):
The etching process takes place in a vacuum chamber.
(식각 공정은 진공 챔버 안에서 진행됩니다.)
38.furnace (전기로):
The wafers are oxidized in a high-temperature furnace.
(웨이퍼들은 고온의 전기로에서 산화됩니다.)
39.scanner (스캐너):
The scanner projects the mask pattern onto the wafer.
(스캐너는 마스크 패턴을 웨이퍼에 투사합니다.)
40.implanter (이온 주입기):
The dopants are introduced using an ion implanter.
(도펀트들은 이온 주입기를 사용하여 주입됩니다.)
41.reactor (반응기):
We used a CVD reactor for the deposition.
(우리는 증착을 위해 CVD 반응기를 사용했습니다.)
42.lithography tool (리소그래피 장비):
The most advanced lithography tool uses EUV light.
(가장 진보된 리소그래피 장비는 EUV 광을 사용합니다.)
43.probe station (프로브 스테이션):
The electrical properties are tested at a probe station.
(전기적 특성은 프로브 스테이션에서 테스트됩니다.)
44.metrology (측정 장비):
We used a metrology tool to check the film thickness.
(우리는 막의 두께를 확인하기 위해 측정 장비를 사용했습니다.)
45.cleanroom (클린룸):
All fabrication work is done in a cleanroom to avoid contamination.
(모든 제조 작업은 오염을 피하기 위해 클린룸에서 이루어집니다.)
46.robot (로봇):
A robot transfers the wafer between process steps.
(로봇이 공정 단계 사이에서 웨이퍼를 이동시킵니다.)
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5. 품질, 결함 및 수율 (Quality, Defects & Yield)
47.yield (수율):
The overall yield of the new process is still low.
(새로운 공정의 전체 수율은 아직 낮습니다.)
48.defect (결함):
A single particle can cause a major defect.
(단 하나의 입자가 큰 결함을 유발할 수 있습니다.)
49.particle (입자):
Particulate contamination is the number one cause of defects.
(입자 오염은 결함의 가장 큰 원인입니다.)
50.contamination (오염):
The risk of contamination is very high in this process.
(이 공정에서 오염 위험은 매우 높습니다.)
51.reliability (신뢰성):
The reliability of the new chip is a key concern.
(새로운 칩의 신뢰성은 주요 관심사입니다.)
52.quality control (품질 관리):
Strict quality control is performed at every stage.
(엄격한 품질 관리가 모든 단계에서 수행됩니다.)
53.inspection (검사):
Automated optical inspection is used to check for defects.
(자동 광학 검사가 결함을 확인하는 데 사용됩니다.)
54.failure (불량):
The device failure was caused by a short circuit.
(그 소자의 불량은 단락에 의해 발생했습니다.)
55.throughput (처리량):
The goal is to increase the throughput of the fabrication line.
(목표는 제조 라인의 처리량을 늘리는 것입니다.)
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6. 칩 구성 요소 및 아키텍처 (Chip Components & Architecture)
56.circuit (회로):
The integrated circuit is a complex network of components.
(집적 회로는 복잡한 부품들의 연결망입니다.)
57.die (다이):
A single wafer contains hundreds of individual dies.
(단일 웨이퍼에는 수백 개의 개별 다이가 포함됩니다.)
58.interconnect (배선):
Copper is the most common material for interconnects.
(구리는 배선에 가장 흔한 재료입니다.)
59.logic (논리):
The chip's logic gates are built on the silicon.
(칩의 논리 게이트는 실리콘 위에 만들어집니다.)
60.memory (메모리):
The chip has both logic and memory sections.
(칩은 논리 및 메모리 섹션을 모두 가집니다.)
61.package (패키지):
The die is protected by the final package.
(다이는 최종 패키지로 보호됩니다.)
62.microprocessor (마이크로프로세서):
A microprocessor is the core component of a computer.
(마이크로프로세서는 컴퓨터의 핵심 부품입니다.)
63.integrated circuit (IC) (집적 회로):
An IC combines all components on a single chip.
(IC는 모든 부품을 단일 칩에 통합합니다.)
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7. 일반 연구개발 및 비즈니스 용어 (General R&D & Business Terms)
64.innovation (혁신):
Continuous innovation is key to staying ahead in the industry.
(지속적인 혁신은 업계에서 앞서나가기 위한 핵심입니다.)
65.research (연구):
The company invests heavily in research and development.
(회사는 연구 개발에 막대한 투자를 합니다.)
66.development (개발):
We are in the final phase of product development.
(우리는 제품 개발의 마지막 단계에 있습니다.)
67.patent (특허):
We filed a new patent for our process.
(우리는 우리의 공정에 대한 새로운 특허를 출원했습니다.)
68.roadmap (로드맵):
The company's technology roadmap extends to the next decade.
(회사의 기술 로드맵은 다음 10년까지 이어집니다.)
69.prototype (시제품):
The team is working on the first prototype of the new chip.
(팀은 새로운 칩의 첫 시제품을 만들고 있습니다.)
70.specification (사양):
The product must meet strict specifications.
(제품은 엄격한 사양을 충족해야 합니다.)
71.ramp-up (생산량 증대):
The factory is planning a rapid ramp-up in production.
(공장은 생산량을 빠르게 증대시킬 계획입니다.)
72.cost (비용):
The goal is to reduce the production cost per wafer.
(목표는 웨이퍼당 생산 비용을 줄이는 것입니다.)
73.market share (시장 점유율):
The company is trying to increase its market share.
(회사는 시장 점유율을 늘리려 노력하고 있습니다.)
74.competitor (경쟁사):
ur main competitor just announced a new product.
(우리의 주요 경쟁사가 방금 신제품을 발표했습니다.)
75.supply chain (공급망):
Supply chain issues are causing production delays.
(공급망 문제가 생산 지연을 유발하고 있습니다.)
76.intellectual property (IP) (지적 재산):
The new technology is protected by strong IP.
(새로운 기술은 강력한 지적 재산권으로 보호됩니다.)
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8. 추가적으로 자주 사용되는 단어 (Additional Common Terms)
77.substrate (기판):
A thin film was grown on a silicon substrate.
(얇은 막이 실리콘 기판 위에 성장되었습니다.)
78.alloy (합금):
The metal lines are made of a copper alloy.
(금속 라인들은 구리 합금으로 만들어졌습니다.)
79.architecture (아키텍처):
The new chip architecture improves performance.
(새로운 칩 아키텍처는 성능을 향상시킵니다.)
80.benchmark (벤치마크):
The new chip's performance was measured against a benchmark.
(새로운 칩의 성능은 벤치마크와 비교하여 측정되었습니다.)
81.channel (채널):
The transistor's channel is where the current flows.
(트랜지스터의 채널은 전류가 흐르는 곳입니다.)
82.cleanliness (청결도):
Cleanliness is a top priority in the cleanroom.
(청결도는 클린룸에서 최우선 순위입니다.)
83.component (부품):
The components are integrated onto a single chip.
(부품들은 단일 칩에 통합됩니다.)
84.conductive (전도성):
The metal lines are highly conductive.
(금속 라인들은 전도성이 높습니다.)
85.cost-effective (비용 효율적인):
We are looking for a more cost-effective solution.
(우리는 더 비용 효율적인 해결책을 찾고 있습니다.)
86.critical dimension (핵심 치수):
The critical dimension is shrinking with each new generation.
(핵심 치수는 각 새로운 세대마다 줄어들고 있습니다.)
87.defect-free (결함 없는):
The goal is to produce a defect-free wafer.
(목표는 결함 없는 웨이퍼를 생산하는 것입니다.)
88.density (밀도):
The transistor density has increased significantly.
(트랜지스터 밀도가 크게 증가했습니다.)
89.design (설계):
The team is working on the chip's new design.
(팀은 칩의 새로운 설계를 작업하고 있습니다.)
90.development (현상):
The development process removes the exposed photoresist.
(현상 공정은 노광된 감광액을 제거합니다.)
91.die (다이):
The wafer is cut into individual dies.
(웨이퍼는 개별 다이로 잘려집니다.)
92.diffusion (확산):
Doping can also be done by thermal diffusion.
(도핑은 열 확산에 의해서도 이루어질 수 있습니다.)
93.efficiency (효율):
The power efficiency of the new chip is better.
(새로운 칩의 전력 효율이 더 좋습니다.)
94.electrical (전기적):
We are testing the electrical properties of the device.
(우리는 소자의 전기적 특성을 테스트하고 있습니다.)
95.environment (환경):
The process requires a strictly controlled environment.
(이 공정은 엄격하게 통제된 환경을 필요로 합니다.)
96.exposure (노광):
The exposure process transfers the pattern.
(노광 공정은 패턴을 전사합니다.)
97.fabrication (제조):
The facility is a state-of-the-art fabrication plant.
(이 시설은 최첨단 제조 공장입니다.)
98.facility (시설):
The new facility will be operational next year.
(새로운 시설은 내년에 가동될 것입니다.)
99.feature size (선폭):
The feature size of the new process is 5 nanometers.
(새로운 공정의 선폭은 5나노미터입니다.)
100.finishing (마무리):
The final finishing steps prepare the chip for packaging.
(마지막 마무리 단계는 패키징을 위해 칩을 준비합니다.)
101.gate (게이트):
The gate controls the current flow in the transistor.
(게이트는 트랜지스터의 전류 흐름을 제어합니다.)
102.integration (집적):
The trend is toward higher levels of integration.
(추세는 더 높은 수준의 집적을 향하고 있습니다.)
103.inspection (검사):
We perform a final inspection for defects.
(우리는 결함을 찾아내기 위해 최종 검사를 수행합니다.)
104.interface (계면):
The quality of the silicon-oxide interface is critical.
(실리콘-산화물 계면의 품질이 매우 중요합니다.)
105.layer (층):
A thin layer of metal is deposited on the surface.
(얇은 금속 층이 표면에 증착됩니다.)
106.manufacturing (제조):
The company is a leader in semiconductor manufacturing.
(그 회사는 반도체 제조 분야의 선두 주자입니다.)
107.nanometer (나노미터):
The process uses a 5 nanometer technology.
(그 공정은 5나노미터 기술을 사용합니다.)
108.oxidation (산화):
Thermal oxidation creates a protective layer.
(열 산화는 보호막을 만듭니다.)
109.package (패키지):
The chip is enclosed in a protective package.
(칩은 보호용 패키지에 싸여 있습니다.)
110.pattern (패턴):
The circuit pattern is transferred from the mask to the wafer.
(회로 패턴은 마스크에서 웨이퍼로 전사됩니다.)
111.planarization (평탄화):
Planarization is a key step for multi-layer devices.
(평탄화는 다층 소자에 있어 중요한 단계입니다.)
112.process (공정):
The entire process takes several weeks.
(전체 공정은 수 주가 걸립니다.)
113.production (생산):
The factory has a high production capacity.
(그 공장은 높은 생산 능력을 가집니다.)
114.protocol (프로토콜):
We must follow the safety protocol.
(우리는 안전 프로토콜을 따라야 합니다.)
115.quality (품질):
We must maintain high quality throughout the process.
(우리는 공정 전반에 걸쳐 높은 품질을 유지해야 합니다.)
116.reliability (신뢰성):
Device reliability is a key concern for customers.
(소자 신뢰성은 고객에게 중요한 관심사입니다.)
117.resist (감광액):
The resist is a light-sensitive polymer.
(감광액은 빛에 민감한 폴리머입니다.)
118.scanning (스캐닝):
The wafer is inspected by scanning for defects.
(웨이퍼는 결함을 찾기 위해 스캐닝하여 검사됩니다.)
119.semiconductor (반도체):
Semiconductor devices are the foundation of modern electronics.
(반도체 소자는 현대 전자 제품의 기초입니다.)
120.source (소스):
The transistor has a source, a drain, and a gate.
(트랜지스터에는 소스, 드레인, 그리고 게이트가 있습니다.)
121.substrate (기판):
A thin film was grown on a silicon substrate.
(얇은 막이 실리콘 기판 위에 성장되었습니다.)
122.technology (기술):
The new technology allows for smaller and faster chips.
(새로운 기술은 더 작고 빠른 칩을 가능하게 합니다.)
123.testing (테스트):
The final testing ensures the chip functions correctly.
(최종 테스트는 칩이 올바르게 작동하는지 보장합니다.)
124.thin film (박막):
The thin film was deposited using CVD.
(박막은 CVD를 사용하여 증착되었습니다.)
125.throughput (처리량):
The throughput of the new machine is very high.
(새로운 기계의 처리량은 매우 높습니다.)
126.transistor (트랜지스터):
The transistor is the basic building block of a microchip.
(트랜지스터는 마이크로칩의 기본 구성 요소입니다.)
127.vacuum (진공):
The etching process is performed under high vacuum.
(식각 공정은 높은 진공 상태에서 수행됩니다.)
128.wafer (웨이퍼):
The wafer is the starting material.
(웨이퍼는 시작 재료입니다.)
129.yield (수율):
The yield is the percentage of good dies on a wafer.
(수율은 웨이퍼에서 양품 다이의 비율입니다.)
130.zone (구역):
The cleanroom has different zones based on cleanliness levels.
(클린룸은 청결도 수준에 따라 다른 구역을 가집니다.)
131.alignment (정렬):
Precise alignment of the mask is crucial.
(마스크의 정밀한 정렬이 매우 중요합니다.)
132.back-end of line (BEOL) (후공정):
BEOL focuses on building the interconnect layers.
(후공정은 배선 층을 만드는 데 집중합니다.)
133.contamination (오염):
Contamination is the biggest challenge in the cleanroom.
(오염은 클린룸에서 가장 큰 과제입니다.)
134.defect density (결함 밀도):
The defect density must be minimized for high yield.
(높은 수율을 위해 결함 밀도를 최소화해야 합니다.)
135.diffusion furnace (확산로):
The diffusion furnace is used for high-temperature processes.
(확산로는 고온 공정에 사용됩니다.)
136.doping (도핑):
Doping creates the P-type and N-type regions.
(도핑은 P형 및 N형 영역을 만듭니다.)
137.electrical test (전기 테스트):
The electrical test checks the functionality of the circuits.
(전기 테스트는 회로의 기능을 확인합니다.)
138.front-end of line (FEOL) (전공정):
FEOL refers to the transistor fabrication steps.
(전공정은 트랜지스터 제조 단계를 의미합니다.)
139.gate oxide (게이트 산화막):
A thin gate oxide layer is crucial for transistor performance.
(얇은 게이트 산화막 층은 트랜지스터 성능에 매우 중요합니다.)
140.implant (주입):
The dopants are implanted into the silicon lattice.
(도펀트들은 실리콘 격자에 주입됩니다.)
141.integration (통합):
The integration of different components is becoming more complex.
(다양한 부품의 통합은 점점 더 복잡해지고 있습니다.)
142.lithography (리소그래피):
Lithography is the core process of patterning.
(리소그래피는 패터닝의 핵심 공정입니다.)
143.masking (마스크 공정):
The masking process defines the areas to be etched.
(마스크 공정은 식각될 영역을 정의합니다.)
144.metallization (금속화):
Metallization creates the electrical connections.
(금속화는 전기적 연결을 만듭니다.)
145.nanotechnology (나노기술):
Nanotechnology is fundamental to modern semiconductor manufacturing.
(나노기술은 현대 반도체 제조의 기본입니다.)
146.oxide layer (산화막 층):
The oxide layer acts as an insulator.
(산화막 층은 절연체 역할을 합니다.)
147.photomask (포토마스크):
The photomask contains the circuit pattern.
(포토마스크는 회로 패턴을 포함합니다.)
148.plasma (플라즈마):
Plasma is used in both etching and deposition.
(플라즈마는 식각과 증착 모두에 사용됩니다.)
149.probing (프로빙):
Probing is the step where electrical tests are performed on the die.
(프로빙은 다이에서 전기 테스트가 수행되는 단계입니다.)
150.rework (재작업):
The wafer was sent back for rework due to a defect.
(결함으로 인해 웨이퍼는 재작업을 위해 되돌려 보내졌습니다.)
151.scribe (스크라이브):
The wafer is scribed before it is cut into dies.
(웨이퍼는 다이로 잘리기 전에 스크라이브됩니다.)
152.semiconductor (반도체):
Silicon is a semiconductor material.
(실리콘은 반도체 재료입니다.)
153.sputtering (스퍼터링):
We used sputtering to deposit a thin metal film.
(우리는 얇은 금속 막을 증착하기 위해 스퍼터링을 사용했습니다.)
154.stepper (스테퍼):
The stepper is a type of lithography tool.
(스테퍼는 리소그래피 장비의 한 종류입니다.)
155.substrate (기판):
The wafer acts as the substrate.
(웨이퍼는 기판 역할을 합니다.)
156.wafer fab (웨이퍼 팹):
The new wafer fab cost billions of dollars to build.
(새로운 웨이퍼 팹을 짓는 데 수십억 달러가 들었습니다.)
157.dicing (절단):
The process of cutting the wafer into individual dies is called dicing.
(웨이퍼를 개별 다이로 자르는 공정을 절단이라고 합니다.)
158.packaging (패키징):
Packaging protects the die and provides electrical connections.
(패키징은 다이를 보호하고 전기적 연결을 제공합니다.)
159.bonding (접합):
Wire bonding connects the die to the package.
(와이어 접합은 다이를 패키지에 연결합니다.)
160.encapsulation (봉지):
Encapsulation is the final step in packaging.
(봉지는 패키징의 마지막 단계입니다.)
161.testing (테스트):
The final testing ensures the chip functions correctly.
(최종 테스트는 칩이 올바르게 작동하는지 보장합니다.)
162.probe (프로브):
The probe touches the die to test its electrical properties.
(프로브는 다이에 닿아 전기적 특성을 테스트합니다.)
163.dielectric (유전체):
Low-k dielectric materials reduce signal delay.
(낮은 유전율의 유전체 재료는 신호 지연을 줄입니다.)
164.gate (게이트):
The gate is a key part of the transistor.
(게이트는 트랜지스터의 핵심 부품입니다.)
165.source (소스):
The source is one of the three terminals of a transistor.
(소스는 트랜지스터의 세 단자 중 하나입니다.)
166.drain (드레인):
The current flows from the source to the drain.
(전류는 소스에서 드레인으로 흐릅니다.)
167.channel (채널):
The channel is the region between the source and drain.
(채널은 소스와 드레인 사이의 영역입니다.)
168.transistor (트랜지스터):
The transistor acts as a switch or an amplifier.
(트랜지스터는 스위치 또는 증폭기 역할을 합니다.)
169.integrated circuit (집적 회로):
An integrated circuit combines many components.
(집적 회로는 많은 부품들을 통합합니다.)
170.microprocessor (마이크로프로세서):
A microprocessor is the brain of a computer.
(마이크로프로세서는 컴퓨터의 두뇌입니다.)
171.nanotechnology (나노기술):
Nanotechnology has enabled smaller transistors.
(나노기술은 더 작은 트랜지스터를 가능하게 했습니다.)
172.yield (수율):
The yield of the new process is high.
(새로운 공정의 수율은 높습니다.)
173.defect (결함):
A defect can cause a chip to fail.
(결함은 칩이 불량나는 원인이 될 수 있습니다.)
174.contamination (오염):
Contamination is a major concern in the cleanroom.
(오염은 클린룸에서 주요 관심사입니다.)
175.cleanroom (클린룸):
The cleanroom environment is strictly controlled.
(클린룸 환경은 엄격하게 통제됩니다.)
176.wafer-level packaging (웨이퍼 레벨 패키징):
Wafer-level packaging is a modern packaging method.
(웨이퍼 레벨 패키징은 현대적인 패키징 방법입니다.)
177.bumping (범핑):
Bumping is a process of placing solder bumps on the die.
(범핑은 다이 위에 솔더 범프를 배치하는 공정입니다.)
178.flip-chip (플립칩):
Flip-chip technology is used for high-performance chips.
(플립칩 기술은 고성능 칩에 사용됩니다.)
179.quality control (품질 관리):
Quality control is crucial for customer satisfaction.
(품질 관리는 고객 만족에 중요합니다.)
180.fabrication (제조):
The fabrication process is complex.
(제조 공정은 복잡합니다.)
181.foundry (파운드리):
The company operates a large semiconductor foundry.
(그 회사는 대규모 반도체 파운드리를 운영합니다.)
182.IDM (종합 반도체 기업):
An IDM handles both design and fabrication.
(종합 반도체 기업은 설계와 제조를 모두 다룹니다.)
183.nanometer (나노미터):
The new process node is 3 nanometers.
(새로운 공정 노드는 3나노미터입니다.)
184.planarization (평탄화):
Chemical mechanical planarization (CMP) is a key step.
(화학 기계적 평탄화는 핵심 단계입니다.)
185.spec (사양):
The chip must meet all the specs.
(칩은 모든 사양을 충족해야 합니다.)
186.thermal management (열 관리):
Thermal management is critical for powerful chips.
(열 관리는 강력한 칩에 중요합니다.)
187.wafer thinning (웨이퍼 박형화):
Wafer thinning is used for 3D packaging.
(웨이퍼 박형화는 3D 패키징에 사용됩니다.)
188.yield analysis (수율 분석):
Yield analysis helps identify the root cause of defects.
(수율 분석은 결함의 근본 원인을 식별하는 데 도움을 줍니다.)
189.defect detection (결함 감지):
Defect detection is a key part of quality control.
(결함 감지는 품질 관리의 핵심 부분입니다.)
190.process control (공정 제어):
Process control is vital for consistent manufacturing.
(공정 제어는 일관된 제조에 필수적입니다.)
191.contamination control (오염 제어):
Contamination control is the primary goal of the cleanroom.
(오염 제어는 클린룸의 주요 목표입니다.)
192.cleanliness level (청결도 수준):
The fab has a Class 100 cleanliness level.
(그 팹은 클래스 100의 청결도 수준을 가집니다.)
193.EUV (극자외선):
EUV lithography enables the most advanced process nodes.
(EUV 리소그래피는 가장 진보된 공정 노드를 가능하게 합니다.)
194.recipe (레시피):
The machine runs according to a specific recipe.
(기계는 특정 레시피에 따라 작동합니다.)
195.sub-nanometer (서브 나노미터):
We are moving into the sub-nanometer era.
(우리는 서브 나노미터 시대로 나아가고 있습니다.)
196.chiplet (칩렛):
The design uses a chiplet architecture.
(그 설계는 칩렛 아키텍처를 사용합니다.)
197.microfabrication (마이크로 제조):
Microfabrication is the process of making microchips.
(마이크로 제조는 마이크로칩을 만드는 공정입니다.)
198.wafer handling (웨이퍼 핸들링):
Proper wafer handling prevents breakage.
(적절한 웨이퍼 핸들링은 파손을 막습니다.)
199.front-end (전공정):
The front-end process builds the transistors.
(전공정은 트랜지스터를 만듭니다.)
200.back-end (후공정):
The back-end process connects the transistors.
(후공정은 트랜지스터들을 연결합니다.)
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